数据列表：BSC889N03LS
标准包装：5,000
类别：分立半导体产品
家庭：FET - 单
系列：OptiMOS??
包装：带卷（TR）
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：13A（Ta），45A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：9 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1300pF @ 15V
功率 - 最大值：28W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerTDFN
供应商器件封装：PG-TDSON-8
其它名称：BSC889N03LS G-NDBSC889N03LSGBSC889N03LSGATMA1SP000475952